意法半导体官宣与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

4月1日，意法半导体重磅宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。

技术方面，两家厂商的合作致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。

产能供应上，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。

意法半导体指出，公司与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），两家公司合作将发挥IDM模式优势，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合，同时公司也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。

英诺赛科指出，氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。公司率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。

资料显示，英诺赛科氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。

近日，英诺赛科发布公告称，2024年公司营业收入为人民币8.28亿元，同比增长39.8%。英诺赛科产品在消费电子应用领域占比持续增长，收入同比增长48%。在新能源汽车、AI以及人形机器人领域取得重大突破：车规级氮化镓交付数量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付数量同比增长669.8%。