聚焦未来芯片关键材料与技术等领域，北京科技大学发力

近期，北京科技大学举行前沿交叉科学技术研究院、未来技术学院、未来芯片关键材料与技术集成创新中心揭牌仪式。

上述三家单位致力于持续推进集人才培养、科学研究、平台建设于一体的发展模式，努力建设世界一流前沿交叉科学研究平台和领军人才培养基地，抢占未来科技战略制高点。

资料显示，近年北京科技大学频频在芯片领域实现突破。今年年初，北京科技大学宣布前沿交叉科学技术研究院张跃院士及张铮教授团队等人在《Nature Materials》上发表重要研究成果。

大规模生产高质量的二维过渡金属二硫族化物（TMDCs）是二维器件工业制造中的一个重大挑战。张跃院士及张铮教授团队等人提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的方法，该方法能够在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶MoS2晶畴，这些MoS2单晶展现出卓越的均匀性和高质量，具有极低的缺陷密度。

由MoS2制造的场效应晶体管的统计分析表明，器件良率高，迁移率变化最小。这种2DCZ方法对制造高质量和可扩展的二维半导体材料和器件具有重要意义，为下一代集成电路的制造提供了重要的材料基础。相关成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS2”为题于2025年1月10日发表在Nature Materials上。第一作者为姜鹤博士。

此外，去年7月，北京科技大学宣布与新紫光集团签约战略合作协议，双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究开展科技创新、成果转化人才培养等全方位合作，共同打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地，主要包括共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关。